Mit Galliumarsenid an den Grenzen der Physik
Durch geschickte Schichtanordnungen gelingt die Entwicklung eines neuen Transistors, der sich extrem schnell schalten lässt. Seine direkte Herstellungsweise prädestiniert den „In-Planed-Gated“-Transistor für die Hochintegration. Extrem schnelle Rechner oder auch Verkehrsleitsysteme auf Radarbasis sind Einsatzfelder.
Preisträger 1990 im Wettbewerbsfeld 03